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ASML國(guó)內(nèi)展出兩款新型光刻機(jī):不高于110nm、4倍生產(chǎn)效率

11月7日消息,國(guó)內(nèi)光刻高于在日前的展出第八屆進(jìn)博會(huì)上,荷蘭ASML公司在國(guó)內(nèi)展示了兩款新型光刻機(jī)TWINSCAN XT:260及TWINSCAN NXT:870B。兩款率

但是新型這兩款光刻機(jī)不是用于大家平常接觸的那種場(chǎng)合,不是倍生用于芯片光刻生產(chǎn)的,而是產(chǎn)效用于3D封裝等先進(jìn)封裝領(lǐng)域的。

了解國(guó)內(nèi)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的國(guó)內(nèi)光刻高于網(wǎng)友可能明白了,現(xiàn)在不是展出上微電子去搶ASML的DUV/EUV光刻機(jī)生意,而是兩款率ASML來(lái)?yè)寚?guó)內(nèi)公司的封裝光刻機(jī)生意了。

TWINSCAN XT:260、新型TWINSCAN NXT:870B是倍生一款i線光刻機(jī),光源用的產(chǎn)效是365nm的,掃描曝光,國(guó)內(nèi)光刻高于分辨率不高于400nm,展出NA 0.35,兩款率每小時(shí)晶圓產(chǎn)量可達(dá)270片,可以處理最高1.7mm厚度的300mm晶圓,而非通常的775um厚度晶圓。

ASML表示,該款光刻機(jī)與佳能FPA-5520iV等型號(hào)相比,生產(chǎn)效率是其4倍水平。

至于TWINSCAN NXT:870B,它是更先進(jìn)的KrF光刻機(jī),波長(zhǎng)248nm,分辨率提升到了不高于110nm,NA 0.8,每小時(shí)晶圓產(chǎn)量提升到了400片,生產(chǎn)效率更高。

從ASML此舉可以看出,高端光刻機(jī)固然重要,但是隨著先進(jìn)封裝成為AI芯片的關(guān)鍵一環(huán)之后,ASML也在尋求新的發(fā)展點(diǎn),將封裝光刻機(jī)也納入市場(chǎng)推廣范圍,這種光刻機(jī)雖然不至于動(dòng)不動(dòng)兩三億美元一臺(tái),但用量很大,發(fā)展前景并不差。

同時(shí)對(duì)國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō),ASML的EUV光刻機(jī)由于都懂的原因是沒(méi)法賣(mài)的,但封裝光刻機(jī)的精度不再限制之內(nèi),ASML是有意擴(kuò)展這個(gè)市場(chǎng)。

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