11月30日消息，臺積作為當(dāng)前的瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓代工一哥，臺積電的年性能提發(fā)展方向無疑是最受關(guān)注的，未來的臺積工藝逐漸逼近1nm節(jié)點(diǎn)了，還能不能發(fā)展下去，瞄準(zhǔn)來看臺積電最新公布的年性能提路線圖。

在開放創(chuàng)新平臺生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺積臺積電公布了未來幾年的瞄準(zhǔn)邏輯工藝路線圖，以今年2025為中心，年性能提當(dāng)前量產(chǎn)的臺積FinFET技術(shù)路線的工藝是3nm的，包括有N3、瞄準(zhǔn)N3E、年性能提N3P、臺積N3X及N3C。瞄準(zhǔn)

2nm節(jié)點(diǎn)開始使用Nanosheet晶體管，年性能提也就是GAA環(huán)繞柵極晶體管的具體實(shí)現(xiàn)，今年量產(chǎn)的是N2，率先確認(rèn)用上這個工藝的反而是AMD的Zen6架構(gòu)EPYC處理器，明年才上市。

后續(xù)還會有N2P及N2X工藝，但在這中間會有個A16 SPR工藝，SPR代表的是臺積電的背面供電技術(shù)Super Power Rail，跟Intel的PowerVia據(jù)說有很大不同，技術(shù)上更先進(jìn)，不過具體效果等量產(chǎn)了才能準(zhǔn)確對比。

A16 SPR其實(shí)就是最初規(guī)劃的2nm工藝，但期間有種種調(diào)整，臺積電把GAA與背部供電技術(shù)錯開量產(chǎn)，而不是像三星、Intel那樣在同一代工藝上量產(chǎn)。

再之后的A14節(jié)點(diǎn)會是一個重大更新，GAA與背部供電技術(shù)于一體，性能及能效更好看一些。

臺積電公布這份路線圖是為了證明他們有能力在未來幾年中保持每年更新工藝，且每代工藝的性能及能效都會有差不多的提升，這是在給客戶信心。

以2018年的7nm節(jié)點(diǎn)N7為基準(zhǔn)，每代工藝在同樣的功耗下性能提升都差不多，在15-18%之間，而同性能下功耗也會大幅下降，N7到N3每代都降低了1/3以上，不過N3到未來的A14工藝每代降低1/4左右。

對比N7，臺積電提到A14工藝同功耗下提升83%的性能，能效則是3.2倍提升。

也就是說從2018到2028年的10年中，芯片工藝的性能提升大約是80%，這個數(shù)據(jù)怎么說呢，如果還想對比摩爾定律，那顯然是很讓人失望的，不過業(yè)界也很清楚，28nm節(jié)點(diǎn)之后摩爾定律就逐漸失效了，能有80%的性能提升已經(jīng)很不容易了。

2018年N7代表處理器是蘋果A12，頻率最高也就2.5GHz，晶體管數(shù)量69億，當(dāng)前的A18 Pro處理器能做到4GHz頻率，200億晶體管，距離未來的A14節(jié)點(diǎn)還有兩三代工藝，5GHz頻率、300億晶體管規(guī)模應(yīng)該是可以期待一下的。

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