12月9日消息，海力據(jù)Trendforce報道，士加速推閃存SK海力士確認將于2027年初量產(chǎn)第十代V10 NAND閃存，進超核心突破在于首次采用300+層堆疊架構(gòu)并集成混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding）。層V產(chǎn)

該技術(shù)通過將存儲陣列晶圓與外圍電路晶圓分別制造后垂直鍵合，目標形成單一高性能單元，年量顯著提升產(chǎn)品良率、海力數(shù)據(jù)傳輸效率及生產(chǎn)效益。士加速推閃存

此舉顛覆了行業(yè)技術(shù)路線預期——此前業(yè)界普遍認為混合鍵合技術(shù)需至400層堆疊階段才會啟用。進超

SK海力士選擇在300層節(jié)點提前商業(yè)化部署，層V產(chǎn)旨在加速確立存儲技術(shù)領導地位，目標應對AI及數(shù)據(jù)中心市場對高密度閃存的年量迫切需求。

同步披露的海力產(chǎn)能動態(tài)顯示，受企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）需求激增驅(qū)動，士加速推閃存其第九代NAND閃存產(chǎn)線已接近滿載。進超SK海力士正積極擴大現(xiàn)有產(chǎn)品供應規(guī)模，為下一代技術(shù)量產(chǎn)前的市場過渡期提供支撐。